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由于NANDFlash芯片的不同厂牌包括三星、东芝或海力士、镁光等,但设计厂商在导入时,都需要根据每家公司的产品和技术特性来重新设计,过去并没有1个技术能够通用所有厂牌的NANDFlash芯片。
这样内存唯一的优势就是便宜,它的缺点就是读写效率比较低。
这种内存目前为止最高读取效率为400mbs,写入效率是70mbs。(特指2015年。)
usf内存是2011年电子设备工程联合委员会,发布了第一代通用闪存存储标准,即UFS2.0的前身。
不过第一代的UFS并不受欢迎,也没有对eMMC标准产生明显的影响。
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到了2013年,JEDEC在当年9月发布了UFS2.0的新一代闪存存储标准。
UFS2.0闪存读写速度理论上可以达到1400MBs,不仅比eMMC有更巨大的优势,而且它甚至能够让电脑上使用的SSD也相形见绌。
于是后来逐渐在高端设备市场上取代eMMC,成为移动设备的主流标配。
而实际上,UFS2.0共有两个版本,其中一个是HS-G2,也就是目前的UFS2.0。
然而,另个一个版本则为HS-G3,可以称为UFS2.1,其数据读取速度将飙至1.5Gs,也就是UFS2.0的两倍。
kos存储内存最好的读写效率可以达到30Gs,而且它还拥有更高的寿命和容量。
(效率视设计而定,曹莽购买的是第一代kos内存技术,第一代技术读写效率5.0gs)
曹莽购买的最后一项技术就是芯片叠加技术。
这一项技术其实并不是什么先进的技术。
并不是只有华威一家研究过这一项技术,早在五六年前英特尔和amd就拥有这项技术了。
只是这两家通过叠加生产出来的cpu由于功耗过高不得不放弃这一种技术。
曹莽所购买的芯片叠加技术能够解决功耗过高的问题吗?
可能说能也可以说不能。
因为能量恒守是不可改变的事情,两颗芯片叠加它的功耗注定会增加。
曹莽所购买的技术只是降低了一部分芯片叠加后的功耗而已。
这技术降低了大概48%左右的功耗。
有了这项技术14纳米击败7纳米不是什么大问题。
唯一的缺点就是功耗。
对于这个问题曹莽的解决方法就是堆电池。
大幅度增加电池的容量。
对比研发光刻机增加电池容量简单许多。
这也是解决芯片封禁最简单最快速的处理方法。
而且也是成本最低的解决方法。
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